A Samsung e a SK Hynix investiram quase um bilhão de dólares no aumento da produção de memória na China no ano passado

Como os gigantes coreanos de memória mantêm acesso a equipamentos americanos e expandem a produção na China

Durante a presidência de Joe Biden, as autoridades dos EUA tentaram limitar a capacidade das fabricantes sul-coreanas de ampliar suas fábricas na China. Essas instalações são cruciais para o fornecimento de chips de memória ao mercado mundial. No entanto, Samsung e SK Hynix conseguiram manter acesso a equipamentos americanos enquanto investiam na modernização de seus empreendimentos chineses.

1. Samsung Electronics
IndicadorDadosInvestimento em Xi’an (2023)US$ 344 milhõesCrescimento comparado com 2022 +67,5 %Função da fábricaUnica instalação estrangeira da Samsung para memória NAND; fornece até 40 % do volume mundial de produçãoHistórico de investimentosApós investir US$ 464 milhões em 2019, a empresa não realizou financiamentos significativos por quatro anos. Em 2024, foram alocados US$ 184 milhões, e no ano passado o montante quase dobrou.
Assim, Xi’an tornou-se um centro estratégico para a Samsung, especialmente considerando o aumento da demanda por memória na era da inteligência artificial.

2. SK Hynix
IndicadorDadosInvestimento total na China (2023)mais de US$ 663 milhõesFábricas– Fábrica DRAM em Wuxi; – Fábrica 3D‑NAND em Dalian, adquirida da Intel em 2022Investimentos em Wuxi (2023)dobrados para US$ 190 milhõesInvestimentos em Dalian (2023)US$ 293 milhões (1,5 vezes mais que em 2024)Peso econômico≈1 trilhão de won coreanos – montante significativo para a empresa
SK Hynix está expandindo ativamente a produção de DRAM e 3D‑NAND para atender à crescente demanda por memória de IA e serviços em nuvem.

3. Planos tecnológicos
EmpresaProduto planejadoOnde será produzidoSamsung236‑camadas 3D‑NAND (transição de 128 camadas)ChinaSamsung400‑camadas 3D‑NANDCoreia do SulSK HynixTransferência da fábrica DRAM em Wuxi para a quarta geração de 10‑nm (1a)Wuxi, China
- A Samsung pretende lançar memória 236‑camadas mais avançada na China, permitindo que permaneça competitiva apesar das restrições tecnológicas do país.

- A SK Hynix planeja atualizar o processo tecnológico da fábrica DRAM em Wuxi para 10‑nm (1a), garantindo produção eficiente de DDR5. A fábrica já responde por mais de 30 % do volume mundial de DRAM da empresa.

Conclusão
Apesar dos esforços dos EUA para limitar o acesso das fabricantes sul-coreanas a equipamentos americanos, Samsung e SK Hynix continuam investindo centenas de milhões de dólares na China. Isso lhes permite manter competitividade, expandir a produção de NAND‑memória e DRAM e se preparar para o futuro aumento da demanda, especialmente no campo da inteligência artificial.