A Samsung está encerrando a produção de NAND 2-D e transferindo as fábricas para a fabricação de HBM4.

Samsung encerra a produção de flash NAND 2‑D e reorienta fábricas para HBM4

Este ano, a Samsung anunciou o abandono total da fabricação de memória flash NAND 2‑D. As linhas restantes serão redirecionadas para a produção de memória HBM4, que atualmente tem grande demanda devido ao rápido crescimento da IA.

O que acontece na fábrica de Hwaseong
Segundo *The Elec Korea*, a Samsung planeja fechar a produção de NAND 2‑D em sua instalação em Hwaseong. Em vez de retirar completamente a linha, a empresa irá reconfigurá-la para metalização de DRAM – o processo de aplicação das trilhas que conectam as células de memória dentro do chip.

- Capacidade da linha 12: entre 80 000 e 100 000 placas de 12 polegadas por mês.

- Essas placas eram usadas exclusivamente para flash NAND 2‑D, mas a tecnologia já está obsoleta após o surgimento do NAND 3‑D.

Agora, nessa linha será fabricado DRAM de sexta geração (10 nm), usado em HBM4. A Samsung prevê que a capacidade mensal total de produção de DRAM – incluindo as linhas 3 e 4 em Pyeontae – alcance cerca de 200 000 placas até o final do segundo semestre.

Por que o NAND 2‑D está desaparecendo
A memória NAND 2‑D surgiu pela primeira vez no final dos anos 1990. Nos últimos anos, os fabricantes gradualmente abandonaram-na, migrando para o mais avançado NAND 3‑D. A tecnologia NAND 3‑D oferece vantagens significativas: maior capacidade, melhor confiabilidade e velocidades muito superiores.

De acordo com o plano da Samsung, a cessação definitiva da produção de NAND 2‑D está prevista para março. Após isso, a fábrica passará completamente à fabricação de soluções mais modernas – incluindo HBM4, que são demandadas em sistemas computacionais de alto desempenho e aplicações de IA.