A Samsung está desenvolvendo o HBM5 com a possibilidade de usar até cristais de 2 nm

Novos passos da Nvidia e Samsung no desenvolvimento de memória HBM

Este mês foi confirmado a confiança da liderança da Nvidia na qualidade da memória HBM4 da Samsung Electronics: o fundador da Nvidia, Jensen Huang, destacou pessoalmente em uma placa de demonstração com chips HBM4 que a memória é “incrível”. Ao mesmo tempo, a Samsung já está trabalhando nas próximas versões – HBM5 e HBM5E.

O que informou a Business Korea
* HBM5 da Samsung

* O cristal base (pilha de memória) será produzido usando tecnologia de 2 nm.

* Os cristais DRAM na pilha utilizam a sexta geração do processo de 10 nm, designado como “1c”.

* HBM5E da Samsung

* Na base – o mesmo cristal de 2 nm.

* A parte DRAM será fabricada com uma versão mais recente do processo de 10 nm – “1d”.

Assim, a Samsung combina tecnologias mais modernas e comprovadas para reduzir riscos na produção de HBM.

Parceria com a Nvidia
* Groq 3 – processadores especializados que agora serão produzidos pela Samsung em capacidade contratual usando o processo de 4 nm.

* O chefe da divisão da Samsung, Han Jin-man, enfatizou: “4 nm não pode ser considerado medíocre”.

* A Nvidia já colaborou há muito tempo com a Samsung na produção de chips LPU (2023) e escolheu especificamente seu processo de 4 nm para o Groq 3.

* A produção em massa está prevista para o final do terceiro/início do quarto trimestre deste ano, e uma demanda significativa é esperada a partir do próximo ano.

Evento GTC 2026
Na conferência GTC 2026 na Califórnia, a Nvidia anunciou a colaboração e demonstrou chips HBM4, HBM5 e Groq 3.

* Huang assinou autógrafo em uma placa com o Groq 3, chamando-os de “superrápidos”.

* Na mesma exposição estavam presentes representantes da Samsung e da SK hynix – confirmando a importância dos fornecedores coreanos para a Nvidia.

Principais conclusões

1. Parceiro confiável – A Samsung desenvolve com sucesso HBM4, e agora já está trabalhando em HBM5/EBM5 usando tecnologia de 2 nm para os cristais base e processos comprovados de 10 nm para as partes DRAM.

2. Avanço tecnológico – a transição para 2 nm aumenta o desempenho e reduz o risco de erros no processo de fabricação.

3. Garantia de compatibilidade – a colaboração existente com a Nvidia (Groq) confirma que a Samsung pode fornecer chips conforme os padrões exigidos.

Assim, a Nvidia vê na Samsung um parceiro confiável para o desenvolvimento futuro da memória de alto desempenho e processadores especializados.