A Samsung apresentou na Computex 2026 um protótipo de memória HBM5 Stack

Samsung Electronics — primeiros passos rumo ao HBM5

Recentemente a Samsung Electronics anunciou o início das entregas de amostras da memória HBM4E, mas ao mesmo tempo já está desenvolvendo ativamente a próxima geração – HBM5. Na feira Computex 2025 a empresa mostrou apenas um grande modelo do chip HBM5, para dar uma visão geral de sua estrutura. Já agora é possível perceber que a tecnologia será complexa e exigente.

Detalhes-chave do desenvolvimento
Parâmetro O que faz a Samsung Chips base Máquina própria em processo de 2 nm Número de camadas DRAM de 12 a 20 (tecnologia classe 1c) Tirso GAA Pretende usar em chips de 2 nm Processo abaixo de 1 nm A empresa está confiante de que poderá dominar no futuro
O diretor técnico da divisão Samsung Electronics, Song Jaehyuk, confirmou a participação da companhia no desenvolvimento e implantação dessas tecnologias. A existência de uma unidade contratual permite atender às exigências dos clientes mais rigorosos, incluindo a Nvidia.

Comparação com HBM4E
* O HBM4E utiliza um chip base de 4 nm e processo 1c para fabricar os chips DRAM que formam o stack de memória.
* O HBM5 oferecerá:
* Chip mais fino (2 nm) e número flexível de camadas (12–20).
* Heat Path Block (HPB) – canal de dissipação térmica para resfriamento eficiente.
* Aumento da taxa de transferência graças à arquitetura aprimorada.

A tecnologia HPB já está afinada no exemplo do HBM4E, e a Samsung planeja usar métodos avançados de dissipação térmica para aumentar a estabilidade da memória. A produção em massa do HBM5 está prevista para 2028, e na linha HBM5E os chips DRAM serão fabricados com um processo mais avançado 1d.

O que fazem os concorrentes
* A SK hynix utiliza uma tecnologia de resfriamento semelhante – iHBM. Isso significa que a solução da Samsung não é única em termos de dissipação térmica.
* A SK hynix também está implementando chips de 2 nm na composição do HBM5 e planeja produção em massa usando o iHBM.

Conclusão
A Samsung Electronics já está desenvolvendo o HBM5 baseado no processo de 2 nm, prevendo até 20 camadas DRAM e um dissipador térmico inovador HPB. A liberação em massa está prevista para 2028, e concorrentes como a SK hynix adotam soluções semelhantes (iHBM). Em geral, a Samsung demonstra confiança na conquista de tecnologias abaixo de 1 nm e disposição para atender às exigências dos maiores clientes.