A Intel, em colaboração com a SoftBank, planeja lançar uma substituição da memória HBM já em 2029.

SoftBank e Intel planejam lançar no mercado uma nova memória Z‑Angle Memory (ZAM) até 2029

Como isso será realizado
Responsáveis: SoftBank – por meio da filial Saimemory, que cuidará do desenvolvimento e das vendas. A Intel fornecerá tecnologias de fabricação e embalagem. Participação de outros players: Fujitsu, do Japão, está envolvida no projeto.

Por que a Z‑Angle Memory é necessária
* Problemas com a HBM existente:
- Muito cara e consome muita energia.
- À medida que os volumes de produção aumentam, o DRAM clássico sofre escassez de recursos.

* Objetivo da Z‑AM: oferecer uma alternativa mais econômica e energeticamente eficiente, mantendo alta densidade de dados.

Características técnicas
Parâmetro | Descrição
---|---
Estrutura | Pilha de vários níveis de chips (semelhante à HBM), mas com métodos de embalagem e arquitetura mais avançados.
Densidade | Capacidade específica da pilha 2‑3 vezes maior que a da HBM.
Consumo energético | Reduzido em cerca de metade comparado à HBM.
Custo de produção | Espera-se manter o nível atual de preços ou reduzir até 40 %.

Tecnologia de embalagem
* A Intel oferece a tecnologia NGDB (Next‑Generation Die Bonding), que aumenta a eficiência energética da memória ZAM em comparação com a HBM.
* Nos protótipos já foram implementados oito níveis de DRAM sobre o cristal base.

Plano de lançamento
1. Protótipos intermediários – demonstração até final de março de 2028.
2. Produção em massa – início dentro dos próximos 12 meses após a apresentação, ou seja, por volta do meio de 2029.

Assim, SoftBank e Intel pretendem escalar rapidamente a produção da Z‑Angle Memory, oferecendo uma opção de memória mais acessível e energeticamente eficiente para futuros sistemas de alto desempenho.